JRR-3

シリコンドーピングの概要シリコンドーピングとは、シリコンに他の元素を添加することで、その電気的特性を変化させるプロセスのことです。このプロセスにより、様々な用途に対応した半導体材料の作成が可能になります。ドーパントと呼ばれる添加元素は、シリコンの価電子構造を変化させ、その伝導性とキャリア濃度を制御します。ドーピングの方法には、拡散法、イオン注入法、エピタキシャル成長法などがあります。拡散法では、ドーパントを高温でシリコンに拡散させます。イオン注入法では、イオン化したドーパントをシリコン基板に注入します。エピタキシャル成長法では、シリコン基板上にドーパントを含むエピタキシャル層を成長させます。